在較緩慢的掩模對準與曝光操作之前涂好膠的硅片可短期
貯存。在曝光操作中,將每一片硅片置于合適的掩模下,精確
地套準圖形廣使硅片與掩模相接觸并在象汞弧燈那樣的強紫外
光源下曝光適當時間�?墒褂谩敖佑|式”,即“接近式”光刻或
將掩模圖形投影予硅片上。
硅片曝光后進行顯影。其操作步驟是溶解涂層的所有未曝
光部分并留下粘附的曝光部分。應進行顯影檢查以保證所有未
曝光材料都已除盡,而且顯影溶劑不能侵蝕聚合材料以免圖形
邊緣變形。
顯影后必須烘干和堅固留在涂層上的圖形,以便在未發(fā)生
鉆蝕或脫膠現(xiàn)象的情況下進行下一步的腐蝕操作。膠膜應有極
佳的粘附性,以盡可能減少腐蝕過程中可能產(chǎn)生的“側蝕”現(xiàn)
象.