晶體生長位錯(cuò)理論實(shí)驗(yàn)研究高級(jí)科研
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眾所周知,位錯(cuò)借其運(yùn)動(dòng)在晶體形變方面起著重要的作用,曾經(jīng)
看到綠柱面上的某些生長形貌,在此可以推斷出位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)。
亦分別在銀和對(duì)一三十九烷晶體的生長圖譜上看到了類似變化,
根據(jù)這些情況推斷,只應(yīng)發(fā)生單位滑移,呈現(xiàn)出各種蜷線標(biāo)記,這
些標(biāo)記是單分子和復(fù)分子的,是圓形和多邊形的,是交機(jī)的并且也
是帶直線的,因而SiC以適應(yīng)研究位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)著稱,我們承擔(dān)的本研
究已經(jīng)揭示了SiC中存在的位錯(cuò)的本性,并且也認(rèn)為純螺型位錯(cuò)的
概念并不能解釋所有的生長形貌,引入螺型位錯(cuò)與刃型位錯(cuò)的組合
,有可能對(duì)若干生長形貌加以解釋,依據(jù)晶體生長位錯(cuò)理論,已經(jīng)
把這種觀點(diǎn)用來解釋多型性和現(xiàn)象。
晶體生長位錯(cuò)理論認(rèn)為,一生長晶體由于含有位錯(cuò)的緣故吸能增
加其厚度,若一位錯(cuò)橫越-晶體表面而運(yùn)動(dòng)時(shí),就會(huì)升起一個(gè)滑移
梯階,倘若生長梯階的結(jié)構(gòu)與運(yùn)動(dòng)位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)相同,這就會(huì)使生長
梯階的排列成為沿滑移梯階的彎結(jié)形狀。