相襯顯微顯微鏡和多光束干涉研究SiC晶體表面結構
信息分類：生命科學資訊 作者:YIYI發(fā)布
相襯顯微顯微鏡和多光束干涉研究SiC晶體表面結構
碳化硅中位錯的運動和多型性
用相襯顯微術和多光束干涉法研究了大量 SiC晶體的表面結構，
其中一些SiC晶體曾以X射線鑒定過，是兩種或多種多型的混合物，
除了引起單位滑移的單位 位錯的運動之個，又獲得了與復分子蜷
線的觀測一致的巨型位錯源的作用實驗證據(jù)，在這類位錯源中，掃
位錯的滑移面象位錯結蜷線那樣地轉(zhuǎn)動。
SiC晶體結構與晶面上所看到的生長蜷線的比
較揭示了生長蜷線的
梯階高度等于或倍于沿c軸的X射線重復距離，SiC和其他少數(shù)晶體
上的蜷線生長圖譜曾經(jīng)以螺型位錯理論來解釋，因為已經(jīng)確定，蜷
線中心就是位錯的露頭點，所發(fā)目前可以鑒定個別位錯的各種性質(zhì)
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