Si相同的實驗方法也進行了一些C地Ge中溶解度的測量
信息分類：生命科學資訊 作者:YIYI發(fā)布
Si相同的實驗方法也進行了一些C地Ge中溶解度的測量，
用與Si相同的實驗方法也進行了一些C地Ge中溶解度的測量，
在實驗數(shù)據(jù)的基礎上一幅設想的Ge-C相圖，在3170℃時溶解度達
到12%，此時Ge的蒸汽壓力為幾個大氣壓、沒有化合物形成，由
這些數(shù)據(jù)可以粗略地外推至Ge的熔點，C在液體Ge中的溶解度為1
0C/厘米Ge的數(shù)量級。
現(xiàn)在硅、鍺半導體被應用于極大多數(shù)的半導體器件中，近年來
許多致力于碳化硅與硅-諸合金的研究結果獲得了新的，有用的
半導體材料，從研究半導體材料的觀點出發(fā)。其性能的連續(xù)變化
是介在純硅與純諸之間，這樣就可能當三無化合物或固溶體存在
時，它們也可能具有與這些元素相似的有用的性能。
因為這一三系在頗大的成分范圍內進行實驗時存在著困難，所
以這一系統(tǒng)的實驗工作實際上是末進行過，由于三元系缺乏實驗
數(shù)據(jù)，因此應用已有二元系的資料提出三元系相關系的一些合理
的觀念，這些資料簡要地復述于下面對于與三元系有直接影響的
二元相關系的末定區(qū)域給予了特別的注意。
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