仔細除去與坩堝反應形成的輕微地附著于硅凝固物上的SiC,
稱量凝固物的重量,要HF-HNO中腐蝕除去Si,再稱量Si凝固物內
存留的SiC的重量,由這些的數(shù)據就可以求得既定溫度下C的溶解
度。
低城2000℃時溶解度已低至使用500毫克Si溶媒不能獲得精確
的測定結果,在重結晶氧化坩堝中分別稱取10克、20克試樣進行
了兩個實驗,此時壓力容器中爐子的裝置有些不同,在熔體內放
入上只已知重量的SiC的單晶,按照其重量損失與熔體內Si的重
量可以求得溶解度。
最后,在Si的為熔點時測定了溶解度,也采用了稱量SiC單晶
重量變化的方法,他所用的Si熔體是在真空下置于Si承載小棒的
頂端,SiC晶體存留于液體-固體的界面上,因而測量溫度的精確
性是有些問題的。
從而可以使更清楚地看出SiC在分解溫度時的行為,2830℃這
一溫度是加熱坩堝內的SiC晶粒試樣所求得的,所用坩堝與測量
溶解度實驗中所用的相同,高于此溫度的所有樣品都分解了,而
低于些溫度的則都末受到影響,曾經分別用六方SiC與立方SiC作
過兩次試驗,它們只是一半分解了,而一半末分解,于是所測定
的溫度接近于高溫計的容許誤差。