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光學(xué)高溫計溫度測量精確度為+30℃,誤差可以是50℃

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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光學(xué)高溫計溫度測量精確度為+30℃,誤差可以是50℃


  測量超過鉑合金熱電偶極限1900℃以上溫度時，只有光學(xué)高溫
計是合理的精確方法，壓力容器的側(cè)面有觀察管與窗孔，并且在
輻射罩與發(fā)熱管上也留有小孔以測量爐子內(nèi)部的溫度。光學(xué)高溫
計讀數(shù)必須先對窗孔透光度與被測時表面的發(fā)射率加以校正，以
Ir與Mo的熔點作為校正標(biāo)準(zhǔn)，精確度為+10℃，在一般情況下，
溫度測量精確度為+30℃，誤差可以是50℃。

  測定C在Si中的溶解度時，坩堝中盛滿Si，用緊密的塞子將干
露露封閉，置于爐內(nèi)加熱至實驗溫度2100-2900℃，熱平衡很快
達(dá)到，樣品保溫1-2分鐘，然后切斷電流，由于輻射冷卻，爐溫
迅速下降，Si在坩堝內(nèi)凝固，從爐內(nèi)取出石墨坩堝，并在氧氣中
把它燒掉，原始物質(zhì)內(nèi)的形成Si可以計算如下：
  1、一部分與坩堝反應(yīng)，在石墨孔隙中形成SiC微品物質(zhì)。
  2、一部分殘留于坩堝內(nèi)，凝固為元素Si，約為500毫克原始物
質(zhì)的10-60%。
  3、一部分與溶解在液體Si中的C化合，呈SiC形態(tài)沉積于Si凝
固物內(nèi)，凝固的Si中末發(fā)現(xiàn)有游離C。
  4、由于高壓氬氣氛的遮蔽作用與高密度石墨的低透氣性，如
果有，也只有很少的Si蒸發(fā)逸去。

本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請注明
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