薄膜包圍的封閉區(qū)域甚至可能不與周圍的金屬液接觸,并且在較
低的溫度時就發(fā)生結晶。在這種晶軸間區(qū)域內,向那里偏析的表
面活性元素(首先是氧和硫以及其它元素)的濃度按其偏析率而急
劇增高,從而引起結晶溫度降低。無論是氧或是硫,一定濃度時
分別形成低價氧化物和低結晶溫度的硫化物,這類元素都可能使
凝固溫度一直降低到共晶溫度。
因而,薄膜狀易熔夾雜物、或軟化點較低的玻璃質夾雜物的
形成可能按以下方式進行,
1)在爐渣中形成溶解于液體金屬的SiO結晶時,表面活性高
和偏析度大的SiO積聚在晶軸間區(qū)域和鑄造晶體的間界上。在一
定的濃度時,沿著枝晶晶軸的結晶前沿產生最小相間張力的密實
的無定形玻璃薄膜,它能把成長中的晶體封閉起來。
2)在爐渣中形成SiO(或其它的低價氧化物)。在爐渣和金屬
液的接觸表面上,SiO離解成氧和硅,兩者都進入金屬液。結晶
時具有高表面活性和強偏析度(偏析率0.02)的氧積聚在晶軸間
區(qū)域內及鑄造晶體的間界上,并且形成具有最低相間張力的玻璃
質氧化物薄膜。