高質(zhì)量數(shù)值孔徑顯微物鏡-刻蝕輪廓
金相顯微鏡
我們經(jīng)常在有掩膜的刻蝕后觀察到理想的刻蝕輪廓出現(xiàn)畸變的現(xiàn)象,如出現(xiàn)底
切、錐形或弓形的測(cè)壁、在測(cè)壁根部的底測(cè)切(notches)等。例如,在用氯等離子體刻
蝕多晶硅線條和問(wèn)隔的圖形時(shí)就容易出現(xiàn)這些畸變。電荷在絕緣表面上局部的堆積,
并使人射到溝槽內(nèi)的離子運(yùn)動(dòng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)繼而被散射,
垂直于未受干擾的離子運(yùn)動(dòng)方向,并在過(guò)刻階段才會(huì)出現(xiàn)。當(dāng)刻蝕一個(gè)開(kāi)闊區(qū)域附近
的一系列溝槽時(shí),底測(cè)切通常在最外面的溝槽內(nèi)測(cè)壁的底部形成。底測(cè)切的程度取決
于等離子體參數(shù),如離子能員分布、等離子體密度和電子溫度,以及刻蝕的兒何形狀和
材料的成分。大多數(shù)人認(rèn)為底測(cè)切是山在最外測(cè)的多晶硅線上形成的電位差造成的。