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PTC材料的顯微結(jié)構(gòu)和特點-晶粒測定圖像分析

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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PTC材料的顯微結(jié)構(gòu)和特點-晶粒測量

PTC材料的顯微結(jié)構(gòu)和性能

    PTC材料對顯微結(jié)構(gòu)有較高的要求，其晶粒為半導(dǎo)，晶界為高阻，
晶粒尺寸一般為3-7μm。品粒過細(xì)時，由于電子耗盡層接近晶粒尺寸
而降低PTC效應(yīng)。

異常晶粒生長將會使材料耐電壓性惡化，二重晶粒的顯微結(jié)構(gòu)(細(xì)晶及粗晶共存)
通常是由于化學(xué)不均勻，粉體密度有差異，形成小區(qū)高阻島，易在強電場下?lián)p毀。
測量單個晶界的電性，可了解各個晶界有不同電阻溫度關(guān)系。

當(dāng)電場施加1-3s內(nèi)就完成升溫，紅外顯微鏡觀察證明，每個晶界為一熱點，
晶粒和晶界的溫度差別達(dá)約60℃,加上相變引起的熱膨脹突變，均會形成大的內(nèi)應(yīng)力，
因此希望陶瓷應(yīng)具有高均勻的顯微結(jié)構(gòu):

晶粒尺寸均勻，各個晶界特性相近，并具有高勢壘:
這樣才能在相變溫度處電阻突跳陡，從而滿足過荷保護或馬達(dá)啟動等功能方面
的要求。
本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請注明
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