利用
顯微鏡觀察矽晶片表面的金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)
逐步改變蝕刻濃度條件,并利用顯微鏡觀察其結(jié)果
單晶矽制作金字塔結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)上利用氫氧化鉀于矽晶片上產(chǎn)生非等向性蝕刻,
以制作金字塔反射結(jié)構(gòu)。由于,反應(yīng)進(jìn)行時(shí)會(huì)于矽晶片表面釋放出氫氣,
所以通常會(huì)于溶液中加入異丙醇來降低氣泡所帶來的影響。在本研究中,
利用適當(dāng)開口尺寸的金屬網(wǎng)目,放于矽晶片表面,
如同遮蔽物般將離開矽晶片表面的氣泡捕捉于網(wǎng)目之間,
這使得非等向性蝕刻反應(yīng)進(jìn)行時(shí)所產(chǎn)生的氣泡轉(zhuǎn)為氣態(tài)遮罩。
利用這個(gè)方法,成功的制作出3μm ~ 8μm的金字塔結(jié)構(gòu),
而400nm ~ 1000nm不同波長的反射率量測(cè)平均值小于18%。