近幾年來(lái)在材料科學(xué)及
元件應(yīng)用的研究中,發(fā)現(xiàn)到當(dāng)材料尺寸下降后,
其物理特性與同一材料在巨觀尺寸下特性有極大差異,例如量子侷限效應(yīng)、表面能態(tài)效應(yīng)等等。
由于這些微觀物理特性潛藏許多新的應(yīng)用,世界各先進(jìn)國(guó)家為了在這場(chǎng)新世代的應(yīng)用科學(xué)中搶得先機(jī),
無(wú)不積極投入大量的研發(fā)經(jīng)費(fèi)與人力。當(dāng)材料與元件尺寸逐漸縮小時(shí),為了精確分析材料及元件的物理特性,
具有高空間解析度的光譜檢測(cè)分析技術(shù)將扮演一重要角色。
介紹兩種顯微熒光光譜技術(shù),
分別為微光激熒光光譜分析技術(shù)與陰極熒光光譜分析技術(shù)。
我們將從實(shí)驗(yàn)原理以及該技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體發(fā)光材料的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,
說(shuō)明這兩種技術(shù)在顯微光譜分析上的特點(diǎn)。