超大規(guī)模集成電路(VLSI)技術(shù)中應(yīng)用透射電子
顯微鏡(TEM)是個漫長的過程,
透射電子顯微鏡的功效,但應(yīng)用仍然很少,
一般只在檢驗(yàn)、確證大規(guī)模集成電路工藝的探索性課題中才用電子顯微鏡,用它來觀察某些部位或用它來獲得參數(shù)。
兩個因素的匯攏才使這種情況有了改變。其中首先是透射電子顯微鏡樣品的制備方法發(fā)展到了能使電鏡分析快速進(jìn)行的高水平階段,
以致于用二到三天的時間就可得到(及解釋)有關(guān)微結(jié)構(gòu)的信息。
各種透射電子顯微鏡樣品的制備方法及在制造器件的工藝硅片上采用了獨(dú)特的透射電子顯微鏡測試圖形。
與此同時出現(xiàn)的另一個因素是微米、亞微米級的大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路技術(shù)發(fā)展到了新的階段,
它要求提供比光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡有更高顯微分辨率的分析工具,從而使透射電鏡成為必不可少的手段了。
描述了顯微鏡在制造硅集成電路(IC)工藝中的作用。
透射電鏡在工藝中應(yīng)用及樣品制備方法。
提供了超大規(guī)模集成電路工藝的各個有代表性工序的電子顯微照片