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形成的方石英層厚度和形成時間-測量電子顯微鏡

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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形成的方石英層厚度和形成時間-測量電子顯微鏡

  表明就鍺而論雜質(zhì)層對于點接觸整流不是必需的，但是，SiC層
對其他的電性測量也許是十分重要的，例如，從SiC的加有反向偏
壓的結(jié)測量電子發(fā)射時，于空氣中800℃加熱小時能夠壓抑電子發(fā)
射，因為能夠設(shè)想這些表面在加熱前至少有一個氧單分子復(fù)蓋層，
則這種壓抑必然和較厚薄膜的形成相聯(lián)系。

  在比較低的溫度下，可以得到直線，在這些溫度所得到的反應(yīng)產(chǎn)
物SiC，為無定形二氧化硅，證明二氧化硅的無定形性質(zhì)是利用X射
線衍射方法，在1200℃以上無定形二氧化硅薄膜在誘導(dǎo)期過后轉(zhuǎn)化
成方石英，這也是利用x射衍射方法來證實的，從無定形二氧化硅
至方石英的轉(zhuǎn)化是相應(yīng)于曲線的斜率變化。

   形成的方石英層厚度和形成時間與文中所發(fā)現(xiàn)的數(shù)值是一致的
，成核速率與文中記錄數(shù)據(jù)相比較是地小，這可能是由于系統(tǒng)極為
干燥的緣故，小量水蒸氣的存在是會加速成核的速率的。
  為了測定可能的機理，進行了氧分壓對氧化速率影響的研究，發(fā)
現(xiàn)當(dāng)氧濃度增加時速率增加，說明了這部分研究的結(jié)果，這些等溫
線利用方程式可以吻合，但是利用方程式所得到的平衡常數(shù)數(shù)值是
不合理的，因而，圖的吻合似乎是偶然的。
  碳化硅的內(nèi)雜質(zhì)從99%純度變化至雜質(zhì)小于320p.p.m并不顯著地
影響氧化速率。
本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請注明
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