碳化硅內(nèi)雜質(zhì)不是均勻分布的,對碳化硅作光譜分析
誘導(dǎo)活化物的收集
進(jìn)行了幾個實驗以測定整個裝置內(nèi)誘導(dǎo)活化物的分布情況,一
個試驗發(fā)現(xiàn)80-85%活化仍然留在反應(yīng)管中,只有15-20%在捕集器
中發(fā)現(xiàn),另一個試驗,分解了含有大部分的碳化硅輻照樣品,然
后在裝置的各部位檢查,發(fā)現(xiàn)占總活化物的60%仍然在反應(yīng)2寸內(nèi)
留下,81%留于反應(yīng)管內(nèi),在這些實驗的基礎(chǔ)上利用下述的步驟
。
應(yīng)用濃氬氟酸徹底地腐蝕包括皿在內(nèi)的燃燒裝置沒的部分,將
腐蝕溶液和捕集器溶液一起放在鉑皿內(nèi),用氬氟酸數(shù)次蒸發(fā)至干
發(fā)使活化硅成為四氟化硅而去除,殘余物以6N鹽酸溶解,然后轉(zhuǎn)
移至100毫升容量瓶內(nèi)。從容量瓶內(nèi)取適當(dāng)?shù)哪苷莘e數(shù)的溶
液作各種分析之用。
碳化硅內(nèi)雜質(zhì)不是均勻分布的,對于現(xiàn)在進(jìn)展?fàn)顩r下制得的碳
化硅,在分析中發(fā)現(xiàn)矛盾是可以資料的,這已由研究所對碳化硅
作光譜分析而得出結(jié)果,可以看到活化分析的結(jié)果基本上是和光
譜分析法結(jié)果符合。
雖然這里分析的樣品其雜質(zhì)是在p.p.m范圍之內(nèi),可以看到的
是在更低的濃度下也能測定的。
此方法也能夠容易地擴大應(yīng)用到其他許多元素,其靈敏度勝過
光譜方法靈敏度幾個數(shù)量級。