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微晶源元件工藝構(gòu)成電路的材料檢測(cè)顯微鏡

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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微晶源元件工藝構(gòu)成電路的材料檢測(cè)顯微鏡


薄膜有源元件

  薄膜有源元件比半導(dǎo)體集成電路難以實(shí)現(xiàn)的原因，主要是生
長薄膜晶體很困難。用物理淀積法生長的薄膜，一般是微晶的集
合體或無定形薄膜，并且淀積薄膜有源元件的基片一般是具有高
絕緣性能的異質(zhì)材料。用微晶或無定形薄膜構(gòu)成的有源元件，在
幾個(gè)必要條件方面比用單晶構(gòu)成的有源元件差，膜的重復(fù)性和可
控性也都不能令人滿意。因此，可以說若干有關(guān)薄膜有源元件的
研究工作都沒有完成。所以這里只限于介紹過去熟知的薄膜有源
元件的研究工作。

用陽極氧化法從氮化鉭薄膜也同樣可以獲得氧化鉭，但其介
電常數(shù)隨著氮化度的增加而減少。氮化鉭膜的陽極氧化膜，其介
電常數(shù)約為鉭的氧化膜的50％，氮化度增加形成TaN時(shí)，就不
能再用陽極氧化法了。氧化鉭電容器的構(gòu)成方法是：用電子束或
濺射法淀積鉭膜，將其一面電解氧化，在氧化鉭膜上覆蓋鋁或金
作為上電極，而在氧化鉭膜下側(cè)的剩余鉭金屬膜則作為下電極。
氧化鉭電容器可以采用和鉭薄膜電阻相同的工藝構(gòu)成。氧化鉭作
為膜集成電路的材料．用途最廣。

本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明
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