電弧離子鍍應(yīng)用于傳動(dòng)元件之耐磨性研究
其中發(fā)生反應(yīng)的可能控制機(jī)構(gòu)主要分為:
1. 熱力學(xué)控制(Thermodynamic control)機(jī)構(gòu):
當(dāng)沉積速率等于反應(yīng)氣體輸入質(zhì)量速率,發(fā)生于非常低的平均
流速,或高沉積溫度的情況。
2. 表面動(dòng)力控制(Surface kinetic control)機(jī)構(gòu):
當(dāng)沉積速率比反應(yīng)氣體輸入質(zhì)量速率及反應(yīng)氣體通過邊界層的
質(zhì)傳速率慢時(shí)發(fā)生。
3. 質(zhì)傳控制(Mass transfer control)機(jī)構(gòu):
當(dāng)沉積速率比反應(yīng)氣體通過邊界層的質(zhì)傳速率快時(shí)發(fā)生,通常
是發(fā)生于高溫和高壓的情況下。
4. 孕核控制(Nucleation control)機(jī)構(gòu):
在反應(yīng)氣體的飽和濃度相當(dāng)?shù)蜁r(shí),沉積速率由此機(jī)構(gòu)所控制。
由于極低的平均流速和極低的反應(yīng)氣體飽和濃度皆不易達(dá)到,所以
質(zhì)傳控制和表面動(dòng)力控制是主要的成長(zhǎng)控制機(jī)構(gòu)。在低溫時(shí),反應(yīng)活化
能較高,成長(zhǎng)速率對(duì)溫度敏感性較大,主要是由表面動(dòng)力機(jī)構(gòu)控制。而
高溫時(shí),表面反應(yīng)速率太快,以致氣體反應(yīng)來(lái)不及補(bǔ)充至試樣表面,此
時(shí)則以質(zhì)傳控制機(jī)構(gòu)為主