電解侵蝕的作用與試樣表面的成分
通常電解侵蝕的工作電壓與電流的比則電解拋光時要
小的多,一般情況下選擇在電解拋光特征曲線的AB段
進行。
電解侵蝕的作用與試樣表面的結(jié)構(gòu)成分,結(jié)構(gòu)差異一
個晶體顆粒內(nèi)元素的微觀偏析,微區(qū)變形不均勻。
則滑移或是孿晶體特性的差異,晶體顆粒的位向差,
組元的成分差晶體界面,非金屬夾雜物,低熔點化合
物的集聚。
晶體原子排列的歪扭,變形應(yīng)力的不均勻等相關(guān),這
些都是電解顯示的基礎(chǔ),電解侵蝕外加電源的電位比
組織差異形成微電池的電位高的非常多。