特別適用于對可能包含多晶區(qū)的晶片分析電子
顯微鏡
較高能量的電子束可用以進(jìn)行反射式電子衍射(RHEED)
,這時采用小的掠射角,并利用向前散射的電子來造成
衍射花樣,而這種向前散射的電子的產(chǎn)生率不會由于入射電子能
量的增加而減�。绻嚇颖砻嫦竽菢哟植�,則光:豪
可以貫穿凸出部,這時情況就基本上和透射電子衍射相同了.然
而,如果表面在原子尺度上是十分光滑的,那末當(dāng)電子束以小角度
入射時,它的貫穿深度也是十分小的,這時反射式高能電子衍射將
和低能電子衍射一樣,基本上只與試樣表面的幾個原子層有關(guān).需
要記住的是:雖然電子束的直徑很小,但因掠射角也很小,因此試
樣表面受電子柬照射的區(qū)域?qū)⑹且欢ㄩL度的狹帶,這個區(qū)域都產(chǎn)
生衍射,這樣,要進(jìn)行局部區(qū)域的
測量就變得困難了.正因如此,
在研究表面時,反射式高能電子衍射的應(yīng)用就不象低能電子衍射
那樣廣泛.但它也有一個優(yōu)點(diǎn),即它更容易觀察到小的晶體結(jié)均
不同的局部區(qū)域
反射幾何也可應(yīng)用于形貌照相,如果被檢驗的是表面或似外
延層那樣的薄層,則最為適宜.已經(jīng)采用了類似于透射形貌照相
中所用的某些改進(jìn)辦法,例如,雙晶單色器以及使用選擇擋板來限
定觀察截面等.白色輻射和大截面的X射線柬也能用來拍
攝形貌照相圖.用這種方法拍的斑點(diǎn)也是大的,并將顯示出結(jié)
晶學(xué)細(xì)節(jié).這種方法特別適宜于對可能包含多晶區(qū)的晶片快速地
作形貌圖