良好解理的礦物不能在它們暴露出來的研磨
信息分類：生命科學資訊 作者:YIYI發(fā)布
良好解理的礦物不能在它們暴露出來的研磨
此外，具有良好解理的礦物不能在它們暴露出來的研磨或
拋光，如果在此面上拋光，往往只能得到極差 的拋光效果
，因為要樣品制備過程中，更小的解理碎片會不斷從這種表
面上剝落下來，因此作為一般規(guī)則，對于這類樣品，垂直于
主要解理方向而灑沿著解理方向進行切割、研磨和拋光比較
合適。
對于大多數(shù)拋光實驗室來說，象花崗巖或多礦物脈體這燈
復合的制作中不存在多大問題的，可以用沒有絨毛“培論”
布研磨，以減少凹凸不平的問題，但有時還要略加改良，
因為有時要求良好拋光的主要對象是個別礦物而不是所有顆
粒，值得注意的是，流體包裹體拋光片對反光顯微鏡分析，
遺憾的是，相對的情況卻不行，因為用來制作傳統(tǒng)光片和光
薄片的粘結(jié)樹膠在加熱臺上，加熱到80℃以上時就要變黑和
分解。
象尖晶石，閃鋅礦和錫石等礦物通常認為似乎太不透明，
不適合作包裹體研究，其實這并不確切，因為所有的光薄片
都要求薄到足以透光。事實上，很很多閃鋅礦和錫石的拋光
片只要薄到0.1mm就適合于研究了，但是，若要研究鉻鐵礦
中的包裹體，則必須制備厚度小于20微米的超薄拋光片，
制作這類超薄的光薄片有兩個特殊的問題：一是樣品薄弱容
易碎裂，二是樣品趨于過薄，所謂“過薄”就是樣品被磨得
幾乎什么也不剩下了，這樣就破壞了許多可能存在數(shù)有用的
包裹體，只有特別小心才能避免這些總理，用于拋光的超薄
薄片可以用環(huán)形鋸從很小的精致樣品上（例如單晶）鋸下來
。
本文由出自上海光學儀器廠，轉(zhuǎn)載請注明
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