現(xiàn)在,高端電子市場上出現(xiàn)了特殊應(yīng)用集成電路(Application- Specific Integrat
ed Circuit, ASIC )、復(fù)雜結(jié)構(gòu)ASIC和現(xiàn)場可編程門陣列(Field- Programmable Gab
Array, FPGA )。這些器件一直需要增加信號、電源和接地焊盤的數(shù)量。這就需要
減小相應(yīng)的焊盤間距以保持合理的芯片尺寸。正是基于這兩方面的需求,半導(dǎo)體封
裝技術(shù)越來越復(fù)雜。球狀陣列(Ball Grid Array, BGA)芯片的封裝存在的挑戰(zhàn)寸
分緊迫,因為既要滿足密度的要求,又要具有較好的傳熱、機械和導(dǎo)電性能。為了
綜合電學(xué)、散熱與密度的優(yōu)勢,同時也不降低器件的性能,提出了從金屬線到倒裝
封裝芯片的遷移問題。在倒裝芯片封裝設(shè)計時,芯片的背面暴露在外,所以與線焊
封裝相反,可直接散熱。另外倒裝芯片封裝還可以提高電學(xué)性能,比如降低了由電
感減小和電源與地接觸增加引起的電源供應(yīng)噪聲。倒裝芯片封裝可以明顯增加可互
相連接芯片焊盤的排數(shù)。但是,典型的倒裝法會增加芯片和印制電路板的機械淚
接。這也通常會降低某些地方的機械性能,比如有機BGA芯片的焊點處,或者右
陶瓷BGA封裝中的印制電路板封裝接口處�?练炊噙B接方法被運用于倒裝芯片封攀
中來彌補連接增加的不足。盡管典型的塑料倒裝芯片封裝表現(xiàn)出好的BGA穩(wěn)定性
但芯片和封裝之間熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)的不匹
配健會限制裝置的尺寸。