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使用SEM電子顯微鏡量測焊接熔深的微觀結(jié)構(gòu)

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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使用SEM電子顯微鏡量測焊接熔深的微觀結(jié)構(gòu)

制程參數(shù)對微流道熱影響區(qū)之影響
利用 SEM電子顯微鏡 所拍攝典型的微流道熱影響區(qū)金相圖，
顏色較暗處為其熱影響區(qū)

有制程條件下，微流道熱影響區(qū)縱深范圍均約 50μm，誤差±5μm。
可知，雷射淬火產(chǎn)生的變形相當(dāng)小，因為它是高能量熱源的移動淬火，
熱影響區(qū)比普通淬火方法小得多；另外將雷射作用于工件之試驗
區(qū)時，由于基材的質(zhì)量遠大于工件之試驗區(qū)，使工件
試驗區(qū)急遽冷卻，屬于自冷淬火，亦將導(dǎo)致工件變形
量極小且熱影響區(qū)較小。
雖然其制程條件不同，但在所設(shè)定的制程條件下，其所
供給的熱能決大部份是用于將硅芯片直接汽化，導(dǎo)致
其微流道寬度與深度的差異。而對于其剩馀的熱能所
引起的熱影響區(qū)則無明顯之差異。因此，微流道熱影
響區(qū)在各制程參數(shù)下，其影響的變化差異并不明顯

本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請注明
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