在半導(dǎo)體元件制程中,硅芯片表面的金屬污染是一為人熟知的問題,所造成的良率和元件可靠度下降的后果,
也一直是半導(dǎo)體制程中令人關(guān)心的問題。
傳統(tǒng)清洗方法,需使用大量的溶劑和去離子水清洗硅芯片,特殊制程更需用包含強(qiáng)酸強(qiáng)堿溶液在內(nèi)的清洗方法,
因而產(chǎn)生大量廢水和酸堿液, 造成環(huán)保問題及增加處理成本。因此本論文的重點,即在于嘗試使用超臨界流體
清洗硅
芯片表面的金屬雜質(zhì),希望能建立一高效率且無廢液廢水的清洗方法。
超臨界流體具有液體般的溶解度和氣體般的擴(kuò)散
能力,能迅速有效的清洗硅芯片表面。超臨界流體的溶解度可經(jīng)由溫度和壓力的調(diào)整而輕易改變,
并藉由添加少量的修飾劑,可再增加其溶解極性污染物的能力。
Ⅰ、開發(fā)使用添加各種修飾劑的超臨界二氧化碳流體以清洗硅芯片的新制程,我們使用自行制備的污染硅芯片
,利用高感度二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)分析以評估其清洗效率,以水做為修飾劑可以得到最佳的清洗效果;
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)及原子力顯微鏡(AFM)等分析方法觀察硅芯片于清洗前后表面形態(tài)的變化,
以評估超臨界二氧化碳流體清洗法的可行性。
火山巖則是噴發(fā)到地表后才冷卻安山巖和玄武巖都是比較淺層的火山巖 深成巖則有花崗巖閃長巖這些...從顯微照片可以發(fā)現(xiàn)... 花崗巖的不同礦晶間非常密合 安山巖則比較象是礦物間有填充物質(zhì)的感覺