研究一維鎵基米材的合成、鑒定與應用,共分為以下幾個主題:
(1)純氧化鎵米線之合成技術,
(2)一維豆莢-氧化鎵(Au-peapodded Gallium Oxide Nanowires)
(3) 一維豆莢-氧化鎵復合米線的光學及電學性質測研究
在此介紹種一維豆莢-氧化鎵米線的制備方式,(a)一階段合成法:
藉由屬鎵,及二氧化矽于800°C 下反應,可生成具有雙晶結構之一維豆莢
復合米線,(b)二階段合成法: 將一維核殼-氧化鎵米線(Core-Shell
Au-Gallium Oxide Nanowires),經(jīng)由簡單地熱退火實驗,而制作出許多各式各樣
的一維豆莢-氧化鎵米線。
另外,借著使用暗視野模式光學顯微術研究其區(qū)域表面電漿共振特性
(Localized Surface Plasma Resonance, LSPR),發(fā)現(xiàn)其散射光譜的特征峰,
會隨著鑲埋在氧化鎵米線內的米顆之徑大小及同的形,而有同的峰
值。而此種豆莢結構之復合米線材,因其區(qū)域表面電漿共振特性,
使其具有對532 及658 米波長之可光的高感光吸收效應,因此具有很大的潛用
制作米光電元件