高品質(zhì)單晶的生長及摻雜控制乃至于制成的最佳化,
對于非線性光學(xué)晶體在工業(yè)上應(yīng)用扮有極為重要的角色。
然而在自然融熔態(tài)生長的晶體,或多或少都會偏離化學(xué)計(jì)量組成,
形成對位缺陷。
此對位缺陷對晶體的性質(zhì),尤其在
元件的加工及應(yīng)用上,有極大的不良影響。
此外,在摻雜的應(yīng)用上,更因?yàn)閾诫s離子在固體及液體中的溶解度不
同,造成偏析及晶體的不均勻性。因此本計(jì)畫將使用可視化的水平區(qū)
熔系統(tǒng),以等計(jì)量比鈮酸鋰單晶作為生長對象,來進(jìn)行摻雜均勻的等
計(jì)量比晶體生長,以期望能得到低耗能且摻雜均勻的等計(jì)量比單晶體
生長技術(shù),并輔以電腦模擬計(jì)算,發(fā)展雙層的系統(tǒng)熱流模式,
并分析最佳化晶體生長程序,以期開發(fā)高效率低耗能的
等計(jì)量且均勻性高的單晶技術(shù)。