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未摻雜的ZnO呈現(xiàn)n型導(dǎo)電特征-電子顯微鏡

信息分類：生命科學(xué)資訊　　　　作者:YIYI發(fā)布　

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未摻雜的ZnO呈現(xiàn)n型導(dǎo)電特征-電子顯微鏡適合觀察表面形貌


ZnO:Sb 薄膜成長(zhǎng)與光電特性之研究 

實(shí)驗(yàn)由磁控濺鍍法在玻璃基板上成長(zhǎng)透明導(dǎo)電ZnO：Sb 薄膜。利用摻雜2 %銻的氧化鋅靶材在 
基板溫度200 ℃、工作壓力50 mtorr的氬氣環(huán)境，并藉由改變射頻功率125 W ~ 200 W，成長(zhǎng)出 

ZnO：Sb 薄膜。藉由Ｘ光繞射儀（XRD）與原子力顯微鏡（AFM）分析薄膜晶向與表面形貌；

霍爾效應(yīng)（Hall effect）與光穿透率（transmission）量測(cè)分析薄膜的光電特性。

薄膜具有 (001) 的晶向且垂直于基板表面。電性方面則大部份呈現(xiàn)ｎ型，載子濃度（ carrier 
concentration）于1018 − 1019 cm-3 范圍，載子遷移率（carrier mobility）為0.1−2.3 cm2/V s，電阻 
（resistivity）則為 0.1−14.8 Ωcm。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在射頻功率150 W 制程的薄膜并經(jīng)純度99.999 %的氮?dú)?nbsp;
退火500 ℃半小時(shí)，所獲得的薄膜呈現(xiàn)ｐ型的導(dǎo)電特性。此外，隨著退火溫度增加，薄膜的光穿透 
率獲得提升。

未摻雜的ZnO是呈現(xiàn)n型導(dǎo)電特性，但是要成長(zhǎng)高導(dǎo)電特性的p型ZnO是非常困難的。且使用磁 
控濺鍍制成在ZnO摻雜Sb薄膜的文獻(xiàn)很少，故本實(shí)驗(yàn)試著使用rf 濺鍍成長(zhǎng)氧化鋅摻銻薄膜，使結(jié)構(gòu) 
成為p 型之半導(dǎo)體，在未來(lái)能與n 型之薄膜結(jié)構(gòu)相結(jié)合產(chǎn)生發(fā)光之LED。 
期望將來(lái)能發(fā)展出另一項(xiàng)科技新知，以顛覆傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，且往后能順利與工作所需相結(jié) 
合。在此研究中如何控制成長(zhǎng)溫度、濺鍍壓力以改善ZnO：Sb 的導(dǎo)電性及相關(guān)光學(xué)特性
使用磁控濺鍍法在玻璃基板上成長(zhǎng)透明導(dǎo)電ZnO：Sb薄膜。藉由Ｘ光繞射儀與原子 力顯微鏡分析薄膜晶向
與表面形貌；霍爾效應(yīng)與光穿透率量測(cè)分析薄膜的光電特性

本文由出自上海光學(xué)儀器廠，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明
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