過飽和度的改變可能引起位錯(cuò)特征的改變,例如過飽和度的突
然增大可能使一個(gè)受支配蜷線轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋(gè)產(chǎn)生蜷線的階梯,由引
得出的結(jié)論是,增加過飽和度就降低了臨界二維晶核的尺寸,因
而也就增大了緊靠其中心的蜷線曲率,實(shí)際上這意味著連續(xù)梯階
之間的距離突然縮短,這種解釋對于蜷線A的受支配蜷線B都是對
的,但是不能用于已經(jīng)形成了的梯階,雖然這些梯階也許略為快
些的速度移動(dòng),但是它們的間隔都保留著和以前一檔,因?yàn)樗?/div>
的梯階都同樣快 些,由這些的考慮,顯然,在蜷線A下來的階前
消滅蜷線B的梯階以前,蜷線B現(xiàn)在還可以產(chǎn)生幾圈,一旦已經(jīng)發(fā)
生了幾圈,甚至較小間隔的蜷線A在各個(gè)方向“傅布”下來以后
,這幾圈也有一個(gè)保存它們自己的良好機(jī)會,當(dāng)過飽和度降低時(shí)
就發(fā)生相反的循環(huán)。
本文由出自
上海光學(xué)儀器廠,轉(zhuǎn)載請注明