一般常見的 TEM 加速電壓約為 100-200keV)
HVEM(High-Voltage Electron Microscopy,它亦是 TEM 的一種,其加速電壓可
達(dá)到 1.0MeV,而一般常見的 TEM 加速電壓約為 100-200keV)來進(jìn)行 PU
的形態(tài)觀察,因?yàn)榧铀匐妷涸礁�,越可減輕輻射損傷的影響。而本實(shí)
驗(yàn)所使用的 TEM 加速電壓僅達(dá) 160keV,故須特別注意輻射傷害的影
響,以免被誤導(dǎo),所以為了避免輻射傷害的影響,不可在一定點(diǎn)停留
太久,且須要多取幾個地方,以比較是否已有輻射傷害的發(fā)生,以下
所有 PU 的 TEM 圖都是經(jīng)由這樣小心比較取得的