可透過(guò)非接觸式量測(cè)出階梯高度(Step Height)之影像

白光干涉儀已經(jīng)被使用許多年，且可透過(guò)非接觸式量測(cè)出階梯高度(Step Height)之影像，并于10秒就可成像出蝕刻10 nm深的半導(dǎo)體樣品之蝕刻凹痕。(a)為利用白光干涉儀成像出量測(cè)樣品表面之分色(false-color)平面影像，這個(gè)影像可以完整的表示所有垂直及側(cè)向的資料，

所以圖(a)也可以再表示成如圖(b)的樣品表面之彷造縮影照片(microphotograph)。再經(jīng)軟體建構(gòu)出3維影像(c)。圖(d)為拉剖面線通過(guò)影像水平中心繪出之剖面圖。

量測(cè)樣品是利用切割制程從梨晶(boule)上切割成量測(cè)用之獨(dú)特基板，并利用白光干涉儀揭露經(jīng)部分拋光所殘留的刮痕(a)。這些缺陷可以利用化學(xué)機(jī)械制程(chemical�aechanical process)移除，并得到原子級(jí)平坦表面(b)。